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集成电路封装在电子学金字塔中的位置既是金字塔的尖顶又是金字塔的基座。说它同时处在这两种位置都有很充分的根据。从电子元器件（如晶体管）的密度这个角度上来说，IC表示了电子学的一部分。但是IC又是一个起始点，是一种基本结构单元，是组成我们生活中大多数电子系统的基础。同样，IC不只是单块芯片或者基本电子结构，IC的种类千差万别（模拟电路、数字电路、射频电路、传感器等），因而对于封装的需求和要求也各不相同。集成电路封装还必须充分地适应电子整机的需要和发展。由于各类电子设备、仪器仪表的功能不同，其总体结构和组装要求也往往不尽相同。因此，集成电路封装必须多种多样，才足以满足各种整机的需要。当短路严重时，变压器在空载加电后几十秒钟之内便会迅速发热，用手触摸铁心会有烫手的感觉。TPS3705-33DR

集成电路，英文缩写为IC；顾名思义，就是一定数量的常用电子元件，如电阻、电容、晶体管等，以及这些元件之间的连接，通过半导体工艺。具有特定功能的集成电路。集成电路的分类：功能结构：集成电路又称集成电路，按其功能和结构可分为模拟集成电路、数字集成电路和数模混合集成电路三大类。模拟集成电路又称线性电路，用于产生、放大和处理各种模拟信号（指幅度随时间变化的信号。例如半导体收音机的音频信号、录像机的磁带信号等）的比例。TPS2547RTER直流可通过电感线圈，直流电阻就是导线本身的电阻，压降很小。

晶体管发明后不久，就出现了一些锗集成电路。但是半导体集成电路的真正发展则是在发明了平面晶体管以后。个有重要意义的突破是在硅片上热生长具有优良电绝缘性能，又能掩蔽杂质扩散的二氧化硅层。50年代中期以后，又将在印刷照相业中早已广泛应用的光刻技术和制镜及透镜制造业中应用的薄膜蒸发技术引入到半导体工业中来，它们和扩散、外延等技术相结合，奠定了一整套集成电路制造工艺技术。到50年代后期，集成电路主要技术都已相继发展和基本形成了。1958年制成了只单片集成电路。与以往电子装配相比较，在缩小体积、降低成本、提高可靠性、降低功耗、提高速度等方面，集成电路都有着巨大的优越性和潜力。我们产品的较广地用于电源供应器、开关电源、充电器、变压器、计算机、电话机、家用电器、通讯产品、灯饰产品、各类仪器及各类电子电器连接线、电机产品电子等。

集成电阻及电容的数值范围窄，数值较大的电阻、电容占用硅片面积大。集成电阻一般在几十Ω～几十kΩ范围内，电容一般为几十pF。电感尚不能集成；元器件性能参数的一定误差比较大，而同类元器件性能参数之比值比较精确；纵向NPN管β值较大，占用硅片面积小，容易制造。而横向PNP管的β值很小，但其PN结的耐压高。由于制造工艺及元器件的特点，模拟集成电路在电路设计思想上与分立元器件电路相比有很大的不同。在所用元器件方面，尽可能地多用晶体管，少用电阻、电容；在电路形式上大量选用差动放大电路与各种恒流源电路，级间耦合采用直接耦合方式；尽可能地利用参数补偿原理把对单个元器件的高精度要求转化为对两个器件有相同参数误差的要求；尽量选择特性只受电阻或其它参数比值影响的电路。电子变压器的检测：通过观察变压器的外貌来检查其是否有明显异常现象。

连接器的插拔力和机械寿命与接触件结构(正压力大小)、接触部位镀层质量(滑动摩擦因数)以及接触件排列尺寸精度(对准度)有关。电气性能：连接器的主要电气性能包括接触电阻、绝缘电阻和抗电强度。接触电阻：高质量的电连接器应当具有低而稳定的接触电阻。连接器的接触电阻从几毫欧到数十毫欧不等。绝缘电阻：衡量电连接器接插件之间和接触件与外壳之间绝缘性能的指标，其数量级为数百兆欧至数千兆欧不等。抗电强度：抗电强度也称耐电压、介质耐压，是表征连接器接触件之间或接触件与外壳之间耐受额定试验电压的能力。检测判断电子变压器是否有短路性故障的简单方法是测量空载电流。THVD1500DR

继电器是一种电子控制器件，它具有控制系统（又称输入回路）和被控制系统（又称输出回路）。TPS3705-33DR

集成电路，英文为IntegratedCircuit，缩写为IC；顾名思义，就是把一定数量的常用电子元件，如电阻、电容、晶体管等，以及这些元件之间的连线，通过半导体工艺集成在一起的具有特定功能的电路。是20世纪50年代后期到60年代发展起来的一种新型半导体器件。它是经过氧化、光刻、扩散、外延、蒸铝等半导体制造工艺，把构成具有一定功能的电路所需的半导体、电阻、电容等元件及它们之间的连接导线全部集成在一小块硅片上，然后焊接封装在一个管壳内的电子器件。其封装外壳有圆壳式、扁平式或双列直插式等多种形式。集成电路技术包括芯片制造技术与设计技术，主要体现在加工设备，加工工艺，封装测试，批量生产及设计创新的能力上。TPS3705-33DR

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